متعدد الوظائف الترانزستور N قناة MOSFET ، 55V 110A IRF3205 الترانزستور الإلكتروني
الفئة:
رقاقة IC الترانزستور
في الأوراق المالية:
في المخزون
سعر:
Negotiable
المواصفات
الجزء لا.:
IRF3205
فئة المنتج:
موسفيت
قطبية الترانزستور:
قناة N
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
55 فولت
التيار المستمر:
110 أ
حالة:
جديد
إبراز:
متعدد الوظائف الترانزستور N قناة MOSFET
,55V الترانزستور N قناة MOSFET
,IRF3205
مقدمة
اكتشف ترانزستور IRF3205 MOSFET متعدد الاستخدامات
ثورة في الدوائر الإلكترونية الخاصة بك مع الترانزستور IRF3205 MOSFET
IRF3205 هو ترانزستور MOSFET قوي وموثوق به N- قناة يستخدم بشكل شائع في الدوائر الإلكترونية حيث يلزم تبديل الطاقة العالية.تتمتع MOSFET بتقدير أقصى للجهد يبلغ 55 فولت ويمكنها التعامل مع تيار مستمر يصل إلى 110 أمبير.إن مقاومتها المنخفضة على الحالة التي تبلغ 8 مللي أوم فقط تعني أنها تبدد قدرًا ضئيلًا جدًا من الطاقة حتى عند استخدامها في التطبيقات عالية التيار.يعتبر IRF3205 خيارًا رائعًا لمصادر الطاقة والتحكم في المحرك والتطبيقات الأخرى التي تتطلب تبديل التيار العالي والجهد العالي.
ميزات تقنية:
- فئة المنتج: موسفيت
- التكنولوجيا: Si
- أسلوب التركيب: من خلال الفتحة
- العبوة / العلبة: TO-220-3
- قطبية الترانزستور: قناة N
- عدد القنوات: 1 قناة
- Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف: 55 فولت
- المعرف - تيار التصريف المستمر: 110 أ
- Rds On - مقاومة مصدر الصرف: 8 mOhms
- Vgs - جهد مصدر البوابة: - 20 فولت ، + 20 فولت
- الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: - 55 درجة مئوية
- أقصى درجة حرارة للتشغيل: + 175 درجة مئوية
- PD - تبديد الطاقة: 200 واط
- وضع القناة: التحسين
- الماركة: Infineon / IR
- التكوين: واحد
- وقت السقوط: 65 نانوثانية
- الإرتفاع: ١٥.٦٥ ملم
- الطول: 10 ملم
- نوع المنتج: موسفيت
- وقت الشروق: 101 نانوثانية
- الفئة الفرعية: MOSFETs
- نوع الترانزستور: 1 قناة N
- وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: 50 نانوثانية
- وقت تأخير التشغيل النموذجي: 14 نانوثانية
- العرض: 4.4 ملم وحدة
- الوزن: 0.068784 أونصة
أرسل RFQ
مخزون:
In Stock
الـ MOQ:
1